大激子波尔半径、材料
inas材料是材料砷化铟。为了更好地实现InAs纳米线的什材优异性能,低有效质量、材料砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,易形成欧姆接触等优良特征。材料
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