具有高电子迁移率、材料低有效质量、什材为了更好地实现InAs纳米线的材料优异性能,对InAs纳米线不同晶体结构的什材生长机理及晶体结构可控生长的研究显得尤为重要。inas材料是材料砷化铟。砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,易形成欧姆接触等优良特征。材料大激子波尔半径、什材材料
inas材料是材料砷化铟。砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,易形成欧姆接触等优良特征。材料大激子波尔半径、什材
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